參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2055
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2SK2055
2SK2055
4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
R
D
0.01
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
I
S
0.2
10
1
0.1
0.01
0.001
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
C
i
,
r
,
o
1
1 000
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
0.1
100
I
D
- Drain Current - A
0.03
0.1
0.3
1
3
10
V
GS
= 10 V
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
5
10
15
20
I
D
= 2 A
1 A
0.4
0.6
0.8
1
1.2
500
200
100
50
20
10
2
5
10
20
50
100
V
GS
= 0
f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
50
20
10
5
2
1
0.2
0.5
1
2
5
10
t
d(off)
t
f
t
d(on)
t
r
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PDF描述
2SK2058 Very High-Speed Switching Applications
2SK2059 Silicon N-Channel MOS FET
2SK2059L Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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