參數(shù)資料
型號： 2SK2055
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場效應(yīng)晶體管的高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2SK2055
2SK2055
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
d
0
100
80
60
40
20
T
A
- Ambient Temperature - C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
1
10
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
I
D
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
10
1
0.1
0.01
0.001
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
|
f
|
0.001
10
1
0.1
0.01
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
R
D
0.01
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
D
- Drain Current - A
30
60
90
120
150
5
2
1
0.5
0.2
0.1
2
5
10
20
50
100
Single
Pulse
PW=1ms
10ms
100ms
DC
1
8V
4V
3V
V
GS
= 2 V
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
= 10 V
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
V
DS
= 10 V
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
25 C
75 C
0.1
0.03
0.3
1
3
10
V
GS
= 4 V
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
A
= –25 C
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PDF描述
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