參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1959
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場效應(yīng)晶體管的高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SK1959
2SK1959
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain Cut-Off Current
I
DSS
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0
1.0
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
±
7.0 V, V
DS
= 0
±
3.0
μ
A
Gate Cut-Off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 3 V, I
D
= 100
μ
A
0.5
0.8
1.1
V
Forward Transfer Admittance
|y
fs
|
V
DS
= 3 V, I
D
= 1.0 A
1.0
S
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)1
V
GS
= 1.5 V, I
D
= 50 mA
0.8
3.2
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)2
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 0.5 A
0.36
0.6
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)3
V
GS
= 4.0 V, I
D
= 1.0 A
0.28
0.5
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz
160
pF
Output Capacitance
C
oss
150
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
50
pF
Turn-ON Delay Time
t
d(on)
V
DD
= 3 V, I
D
= 0.5 A, V
GS(on)
= 3 V,
R
G
= 10
, R
L
= 6
45
ns
Rise Time
t
r
190
ns
Turn-OFF Delay Time
t
d(off)
180
ns
Fall Time
t
f
210
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1960 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SK1961 N-Channel Junction Silicon FET for High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications(高頻低噪聲放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
2SK1968 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1971 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2007 Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
2SK1959(T1-AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 16V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
2SK1960-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA
2SK1960T1AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SK1960-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 16V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 16V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
2SK198 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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