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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1949L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SK1949L |
2SK1949(L), 2SK1949(S)
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage V (V)
Pulse Test
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
I = 1 A
5 A
2 A
V
D
D
Drain Current I (A)
D
R
D
0.1
Static Drain to Source State Resistance
vs. Drain Current
1
0.2
0.5
0.1
0.05
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50
4 V
V = 10 V
Pulse Test
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Pulse Test
10 V
V = 4 V
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
1 A
2 A
1 A
2 A
I = 5 A
D
5 A
0.1
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.5
1
2
5
10
Tc = –25 °C
25 °C
75 °C
V = 10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1949S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1951 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1949L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1954-Z(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954-Z-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 180V 4A 650m@10V TO252 Cut Tape |
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