參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1949L
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
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代理商： 2SK1949L
2SK1949(L), 2SK1949(S)
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
60
—
—
V
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
20
—
—
V
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
±
10
100
μ
A
μ
A
V
V
GS
=
±
16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
I
D
= 1 mA, V
DS
= 10 V
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V*
I
D
= 3 A
V
GS
= 4 V*
I
D
= 3 A
V
DS
= 10 V*
V
DS
= 10 V
V
= 0
f = 1 MHz
Zero gate voltage drain current I
DSS
Gate to source cutoff voltage
—
—
V
GS(off)
R
DS(on)
1.0
—
2.25
Static drain to source on state
resistance
—
0.12
0.15
1
—
0.15
0.2
1
Forward transfer admittance
|y
fs
|
3
5.5
—
S
1
Input capacitance
Ciss
—
390
—
pF
Output capacitance
Coss
—
190
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
45
—
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
—
10
—
ns
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 10
Rise time
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
—
42
—
ns
Turn-off delay time
—
90
—
ns
Fall time
—
55
—
ns
Body to drain diode forward
voltage
—
1.0
—
V
I
F
= 5 A, V
GS
= 0
Body to drain diode reverse
recovery time
Note
1. Pulse Test
t
rr
—
60
—
ns
I
= 5 A, V
= 0,
diF / dt = 50 A /
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1949S Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1950 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1950L Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1950S Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1951 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK1949L(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK1954 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SK1954-Z(AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK1954-Z-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK1954-Z-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 180V 4A 650m@10V TO252 Cut Tape
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