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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1949L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SK1949L |
2SK1949(L), 2SK1949(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
I
AP
*
E
AR
*
Pch*
60
V
Gate to source voltage
±
20
5
V
Drain current
A
Drain peak current
1
20
A
Body to drain diode reverse drain current
5
A
Avalanche current
3
5
A
Avalanche energy
3
2.1
mJ
Channel dissipation
2
20
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1949S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1951 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1949L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1954-Z(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954-Z-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 180V 4A 650m@10V TO252 Cut Tape |
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