參數(shù)資料
型號(hào): 2SK1933
廠(chǎng)商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(不適用溝道MOSFET的)
文件頁(yè)數(shù): 7/9頁(yè)
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代理商: 2SK1933
2SK1933
7
0
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10
8
6
4
2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Pulse Test
0, –5 V
V = 10 V
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 0.83°C/W, T
C
= 25°C
T
T
C
= 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
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