參數資料
型號: 2SK1933
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述: 硅N溝道場效應晶體管(不適用溝道MOSFET的)
文件頁數: 6/9頁
文件大小: 54K
代理商: 2SK1933
2SK1933
6
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
Reverse Drain Current I (A)
R
r
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
50
100
200
500
1000
2000
5000
di/dt = 100 A/ s, V = 0
Ta = 25°C
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
10000
1000
100
10
0
10
20
30
40
50
Drain to Source Voltage V (V)
C
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
Dynamic Input Characteristics
1000
800
600
400
200
40
80
120
160
200
20
16
12
8
4
0
Gate Charge Qg (nc)
D
D
V = 250 V
400 V
600 V
V
I = 8 A
D
DS
G
G
V
GS
0
V = 250 V
400 V
600 V
Switching Characteristics
Drain Current I (A)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
5
10
20
50
100
200
500
S
t
td
t
td
V = 10 V, V = 30 V
PW = 5 s, duty 1%
<
f
r
相關PDF資料
PDF描述
2SK1934 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1947 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1948 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1949 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1949L Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK1933(E) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SK1934(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK1934-E 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK1938 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SK1938-01RSC 制造商:Fuji Electric 功能描述: