參數(shù)資料
型號: 2SK1933
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述: 硅N溝道場效應晶體管(不適用溝道MOSFET的)
文件頁數(shù): 2/9頁
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代理商: 2SK1933
2SK1933
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
900
V
Gate to source voltage
±
30
V
Drain current
10
A
Drain peak current
30
A
Body to drain diode reverse drain current
10
A
Channel dissipation
150
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes
1. PW
10
μ
s, duty cycle
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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