參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1666
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 46K
代理商： 2SK1666
2SK1666
6
di/dt = 50 A/
μ
s
V
GS
= 0, Ta = 25
°
C
500
10
200
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
200
20
5
20
100
5
50
100
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
2
10
50
20
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
10
40
30
50
1
10
100
1,000
0
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Crss
Coss
Ciss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
Gate Charge Qg (nc)
D
D
0
40
200
80
160
120
0
4
8
12
16
20
G
G
Dynamic Input Characteristics
V
DS
I
D
= 35 A
10 V
10 V
25 V
25 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 50 V
20
40
60
80
100
1,000
2
50
Drain Current I
D
(A)
S
500
1
5
20
10
100
50
200
0.5
20
10
Switching Characteristics
t
f
t
d (on)
t
r
V
= 10 V, V
30 V
PW = 2
μ
s, duty
≤
1%
t
d (off)
=
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PDF描述
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2SK1668 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1669 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1670 Silicon N-Channel MOS FET
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