參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1666
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 46K
代理商： 2SK1666
2SK1666
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
60
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
45
A
Drain peak current
180
A
Body to drain diode reverse drain current
45
A
Channel dissipation
60
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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