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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1299(S) |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 0.45 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/11頁(yè) |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SK1299(S) |
2SK1299(L), 2SK1299(S)
7
10
8
6
4
2
0
0.4
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
0.8
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
VGS = 0, – 5 V
Pulse Test
VGS = 10 V
5 V
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
10
1 m
10 m
100 m
Pulse Width PW (s)
100
110
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γs
(t)
θch–c (t) = γs (t) θch–c
θch–c = 6.25°C/W, T
C = 25°C
PW
D =PW
T
TC = 25°C
PDM
D = 1
0.5
0.05
1 Shot
Pulse
0.2
0.1
0.02
0.01
Vin Monitor
Vout Monitor
RL
50
Vin = 10 V
D.U.T
.
VDD = 30 V
.
Switching Time Test Circuit
Vin
10 %
90 %
10 %
td (on)
td (off)
tr
tf
Vout
10 %
Wavewforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1302-E | 20 A, 100 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1303-E | 30 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1303 | 30 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1304 | 40 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1305-E | 10 A, 100 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1300 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1300-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| 2SK1301 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1301(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1301-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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