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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1299(S) |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.45 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | 2SK1299(S) |
2SK1299(L), 2SK1299(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
100
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
3A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
12
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
3A
Channel dissipation
Pch*
2
20
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW
≤ 10 s, duty cycle ≤ 1%
2. Value at T
C =
25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1302-E | 20 A, 100 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1303-E | 30 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1303 | 30 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1304 | 40 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1305-E | 10 A, 100 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1300 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1300-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| 2SK1301 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1301(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1301-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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