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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1299(S) |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 0.45 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | 2SK1299(S) |
2SK1299(L), 2SK1299(S)
4
50
100
0
Case Temperature TC (°C)
150
10
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Power vs. Temperature Derating
20
30
Maximum Safe Operation Area
Drain
Current
I
D
(A)
500
100
20
5
2
50
10
5
2
0.2
1
20
1
0.5
0.1
0.05
200
Drain to Source Voltage VDS (V)
100
s
1 ms
Ta = 25°C
10
s
Operation in this area
is limited by RDS (on)
DC
Operation
(T
C =
25°C)
PW
=
10
ms
(1
Shot)
10
50
1000
Typical Output Characteristics
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
10
8
6
4
2
10
8
6
4
2
0
VGS = 2.5 V
Pulse Test
5 V
3 V
3.5 V
10 V
4.5 V
4 V
Typical Transfer Characteristics
3
Gate to Source Voltage VGS (V)
4
2
1
05
1
2
3
4
5
0
Drain
Current
I
D
(A)
VDS = 10 V
Pulse Test
25°C
75°C
TC = –25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1302-E | 20 A, 100 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1303-E | 30 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1303 | 30 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1304 | 40 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1305-E | 10 A, 100 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1300 | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1300-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| 2SK1301 | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1301(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1301-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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