參數(shù)資料
型號(hào): 2SK1167
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(不適用溝道MOSFET的)
文件頁(yè)數(shù): 6/7頁(yè)
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代理商: 2SK1167
2SK1167, 2SK1168
6
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
Pulse Test
5 V, 10 V
V
GS
= 0, –10 V
3
1.0
0.1
0.03
0.01
0.3
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 1.25°C/W,T
C
= 25°C
P
DM
PW
T
D =
T
PW
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
γ
S
T
C
= 25°C
0.01
0.05
0.02
0.2
0.1
0.5
1Shot Pulse
D = 1
Vin Monitor
Vout Monitor
R
L
50
Vin = 10 V
D.U.T
V
= 30 V
.
Switching Time Test Circuit
Vin
10 %
90 %
90 %
90 %
tr
10 %
td (on)
td (off)
tf
Vout
10 %
Wavewforms
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PDF描述
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參數(shù)描述
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