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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1167 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | 2SK1167 |
2SK1167, 2SK1168
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature T
C
(°C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
V
= 10 V
Pulse Test
S
R
D
)
10 A
I
D
= 20 A
5 A
Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
50
20
10
5
0.5
0.2
0.5
1.0
5
10
20
Drain Current I
D
(A)
1.0
2
2
75°C
–25°C
F
y
T
C
= 25°C
V
= 20 V
Pulse Test
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
di/dt = 100 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
= 0
Pulse Test
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
5,000
2,000
500
200
100
50
1,000
0.2
0.5
1.0
2
5
10
20
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
100
0
10
20
30
40
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
Coss
Ciss
Crss
10
V
= 0
f = 1 MHz
1,000
10,000
Dynamic Input Characteristics
500
400
300
200
100
0
20
40
60
80
100
Gate Charge Qg (nc)
D
D
20
16
12
8
4
0
G
G
V
DD
= 100 V
V
= 400 V
250 V
100 V
250 V
V
DS
I
D
= 15 A
400 V
V
GS
Switching Characteristics
1,000
200
100
50
20
10
500
S
0.5
1.0
2
5
10
20
50
Drain Current I
D
(A)
V
= 10 V, V
30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1%
t
d (off)
t
r
t
f
t
d (on)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1168 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1169 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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| 2SK1179 | MOSFET |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK1168-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Cut Tape |
| 2SK1169 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 450V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 450V 20A 3PIN TO-P - Rail/Tube |
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