參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ517
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅P通道MOS FET的高速電源開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： 2SJ517
2SJ517
5
5
–0.1 –0.2
Reverse Drain Current I (A)
200
500
100
20
10
50
–0.5
–1
–2
–5
–10
0
–4
–8
–12
–16
–20
500
200
100
20
10
50
1000
0
–10
–20
–30
–40
0
0
–4
–8
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–16
–20
–50
4
8
12
16
20
200
100
20
50
10
500
5
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
di / dt = 50 A / μs
V = 0, Ta = 25 °C
V
GS
V
DS
V = –5 V
–10 V
V = –4 V, V = –10 V
duty < 1 %
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
V = –5 V
–10 V
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
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PDF描述
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