參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ517
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅P通道MOS FET的高速電源開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： 2SJ517
2SJ517
3
Main Characteristics
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
100
150
200
–0.1 –0.3
Drain to Source Voltage V (V)
–1
–3
–10
–30
–100
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–5
–4
–3
–2
–1
0
–2
–4
–6
–8
–10
–5
–4
–3
–2
–1
0
–1
–2
–3
–4
–5
C
Ambient Temperature Ta (°C)
Power vs. Temperature Derating
D
D
Maximum Safe Operation Area
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
Test Condition :
When using the aliminium Ceramic
board (12.5 x 20 x 70 mm)
1m
Ta = 25 °C
DCOpeaion
100μ
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
PW=10m 1sho)
–10 V
V = –1.5 V
–4 V
–3 V
–2 V
–2.5 V
Pulse Test
Tc = 75°C
25°C
–25°C
V = –10 V
Pulse Test
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PDF描述
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