參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ517
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅P通道MOS FET的高速電源開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： 2SJ517
2SJ517
4
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–2
–4
–6
–8
–10
1
0.1
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
–40
0
40
80
120
160
0
0.2
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
Case Temperature Tc (°C)
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Pulse Test
Pulse Test
I = –2 A
–1 A
–0.5 A
0.5
0.01
0.02
0.05
V = –2.5 V
–4 V
Pulse Test
–1 A
I = –2 A
D
V = –2.5 V
–4 V
–0.5 A
–0.5, –1, –2 A
10
1
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
2
5
0.1
0.2
0.5
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
V = –10 V
Pulse Test
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PDF描述
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2SJ518 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
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