參數(shù)資料
型號(hào): 2SJ387
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon P-Channel MOS FET
中文描述: 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 7/10頁(yè)
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代理商: 2SJ387
2SJ387(L), 2SJ387(S)
7
–20
–16
–12
–8
–4
0
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Pulse Test
–5 V
–3 V
V = 0, 5 V
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
D = 1
0.5
0.2
0.01
0.02
0.1
0.05
1sho Puse
Tc = 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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PDF描述
2SJ387L Silicon P-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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2SJ387S 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET