參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ351
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 40K
代理商： 2SJ351
2SJ351, 2SJ352
2
Outline
D
G
S
1
2
3
TO-3P
1. Gate
2. Source
(Flange)
3. Drain
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SJ351
V
DSX
–180
V
2SJ352
–200
Gate to source voltage
V
GSS
I
D
I
DR
Pch*
1
±
20
V
Drain current
–8
A
Body to drain diode reverse drain current
–8
A
Channel dissipation
100
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ352 Silicon P-Channel MOS FET
2SJ353 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ355 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING
2SJ356 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ357 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH
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參數(shù)描述
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