參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ333L
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述： 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： 2SJ333L
2SJ333(L), 2SJ333(S)
6
–20
–16
–12
–8
–4
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
Drain to Source Voltage V (V)
Pulse Test
–10 V
–5 V
V = 0, 5 V
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
DM
P
PW
T
D =PW
T
ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
D = 1
0.5
0.2
0.01
0.02
0.1
0.05
1sho Puse
Tc = 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ333 Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
2SJ333S Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
2SJ337 Very High-Speed Switching Applications
2SJ339 Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SJ340 Ultrahigh-Speed Switching Applications
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參數(shù)描述
2SJ333S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
2SJ334 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 60V 30A 3PIN SC-67 - Rail/Tube
2SJ334(F) 功能描述:MOSFET MOSFET P-Ch 60V 30A Rdson 0.038 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SJ334(F,T) 功能描述:MOSFET MOSFET P-Ch 60V 30A Rdson 0.038 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SJ334_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
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