參數(shù)資料
型號： 2SJ333L
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述： 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 57K
代理商： 2SJ333L
2SJ333(L), 2SJ333(S)
3
40
30
20
10
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
–100
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.5
–50
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
100 μs
Ta = 25 °C
10 μs
–1
–2
5
–10
–20
Operation in this
area is limited
by R
DS(on)
DCOperaion(Tc=25°C)
1ms
Maximum Safe Operation Area
–10
–8
–6
–4
–2
0
–2
–4
–6
–8
–10
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
–3.5 V
–3 V
Pulse Test
V = –2 V
–2.5 V
–10 V
–5 V
–4.5 V
–4 V
Typical Output Characteristics
–10
–8
–6
–4
–2
0
–1
–2
–3
–4
GS
–5
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
V = –10 V
Pulse Test
Tc = 25 °C
–25 °C
75 °C
Typical Transfer Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ333 Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
2SJ333S Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
2SJ337 Very High-Speed Switching Applications
2SJ339 Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SJ340 Ultrahigh-Speed Switching Applications
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參數(shù)描述
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2SJ334 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 60V 30A 3PIN SC-67 - Rail/Tube
2SJ334(F) 功能描述:MOSFET MOSFET P-Ch 60V 30A Rdson 0.038 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SJ334(F,T) 功能描述:MOSFET MOSFET P-Ch 60V 30A Rdson 0.038 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SJ334_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
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