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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ332L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | 2SJ332L |
2SJ332(L), 2SJ332(S)
5
–20
–16
–12
–8
–4
0
–1
–2
–3
–4
–5
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
75 °C
Tc = 25 °C
–25 °C
V = –10 V
Pulse Test
Typical Tranfer Characteristics
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–2
–4
–6
–8
–10
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
I = –10 A
–5 A
–2 A
Pulse Test
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
–20
–50
–0.5
–1
–2
–5
–10
Drain Current I (A)
D
R
D
Pulse Test
–10 V
V = –4 V
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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