參數(shù)資料
型號(hào): 2SJ332L
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述: 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管性(P溝道MOSFET的)
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大小: 55K
代理商: 2SJ332L
2SJ332(L), 2SJ332(S)
4
20
15
10
5
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
–100
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.1 –0.3
Drain to Source Voltage V (V)
–1
–3
–10
–30
–100
D
D
100 μs
Ta = 25 °C
10 μs
1ms
DCOpeaion
Aeai Lmted
b R
PW = 10 ms
(1shot)
Maximum Safe Operation Area
–20
–16
D
–12
–8
–4
0
–2
–4
–6
–8
–10
Drain to Source Voltage V (V)
D
–10 V
–6 V
–3.5 V
–3 V
V = –2.5 V
–4 V
Pulse Test
Typical Output Characteristics
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