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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ319S |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 2SJ319S |
2SJ319(L), 2SJ319(S)
6
0
–10
–20
–30
-40
–50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1000
200
500
100
50
20
10
5
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
0
–100
–200
–300
–400
0
4
8
12
16
20
Gate Charge Qg (nc)
D
D
0
–4
–8
–12
–16
–20
–500
G
G
Dynamic Input Characteristics
GS
V
DS
V
V = –50 V
–100 V
–150 V
V = –50 V
–100 V
–150 V
500
200
100
50
20
10
5
–0.05 –0.1 –0.2
–10
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
–0.5
–1
–2
–5
tf
r
d(off)
t
d(on)
t
V = –10 V, V = –30 V
duty < 1 %, PW = 2 μs
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PDF描述 |
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