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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ319S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 2SJ319S |
2SJ319(L), 2SJ319(S)
4
–5
–4
–3
–2
–1
0
–2
–4
–6
–8
–10
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
V = –10 V
Pulse Test
75 °C
Typical Transfer Characteristics
Tc = –25 °C
25 °C
–20
–16
D
–12
–8
–4
0
–4
–8
12
–16
–20
Gate to Source Voltage V (V)
–1 A
–2 A
Pulse Test
I = –5 A
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
V = –10 V
Pulse Test
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PDF描述 |
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