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參數資料
| 型號： | 2SJ319S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 2SJ319S |
2SJ319(L), 2SJ319(S)
5
5
4
3
2
1
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
–2 A
–1 A
I = –5 A
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
V = –10 V
Pulse Test
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
3
2
1
0.5
0.2
0.1
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
Tc = –25 °C
25 °C
75 °C
V = –10 V
Pulse Test
5
–0.05 –0.1
10
500
200
100
50
20
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
di/dt = 50 A/μs, V = 0
duty < 1 %, Ta = 25 °C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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