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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ181S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | 2SJ181S |
2SJ181(L), 2SJ181(S)
7
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
Source to Drain Voltage V (V)
Pulse Test
0, 5 V
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
V = –10 V
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
D = 1
0.5
0.2
0.01
0.02
0.1
0.05
1sho Puse
Tc = 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SJ182(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
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