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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ181S |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | 2SJ181S |
2SJ181(L), 2SJ181(S)
6
0
–200
–400
–600
–800
0
Gate Charge Qg (nc)
D
D
0
–4
–8
–12
–16
–20
20
–1000
G
G
Dynamic Input Characteristics
4
8
12
16
DS
V
GS
V
I = –0.5 A
V = –100 V
–250 V
–400 V
V = –100 V
–250 V
–400 V
500
200
100
50
20
10
5
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
tf
r
d(off)
t
d(on)
t
V = –10 V, V = –30 V
PW = 5 μs, duty < 1 %
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ182 | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ181 | Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ182S | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ184 | P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ181STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ181STR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ182 | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ182(L) | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251VAR |
| 2SJ182(S) | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
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