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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ181S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | 2SJ181S |
2SJ181(L), 2SJ181(S)
5
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
2
1
0.2
0.5
0.1
0.02
0.05
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
V = –20 V
Pulse Test
Tc = –25 °C
75 °C
25 °C
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
1000
200
500
100
20
50
10
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
di / dt = 100 A / μs
V = 0, Ta = 25 °C
0
–10
–20
–30
-40
–50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
1000
300
100
30
10
3
1
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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