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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD970 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴散（三倍擴散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | 2SD970 |
2SD970(K)
3
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
20
40
60
0.03
0.1
0.3
1.0
3
10
30
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
1
3
10
30
100
300
1,000
Area of Safe Operation
1
μ
s
10
μ
s
1m
D prto T
C
5
°
C
1 shot pulse
i
C
(peak)
I
(Continuous)
Ta = 25
°
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
1
2
3
4
5
2
4
6
8
10
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
0.6 mA
2.0
P
C
5W
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
100
300
1,000
3,000
10,000
Collector current I
C
(A)
D
F
0.1
0.3
1.0
3
10
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
T
C
=75
°
C
25
°
C
–25
°
C
V
CE
= 3 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD974 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD975 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD975 | Power Bipolar Transistors |
| 2SH11 | Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH12 | Silicon N-Channel IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD970(K) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| 2SD970K | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused |
| 2SD970K(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SD971 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR MT-25300V 6A 50W BCE |
| 2SD972 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANKEN TRANS. MT-25 50V 4A 30W BCE |
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