參數(shù)資料
型號： 2SD2672
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low frequency amplifier
中文描述： 低頻放大器
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 38K
代理商： 2SD2672
2SD2672
Transistors
!
Electrical characteristic curves
1000
Ta
=
125
°
C
B
B
(
2/2
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
D
F
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
10
10
100
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
Pulsed
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
C
(
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.01
0.001
1
0.1
0.001
0.01
0.1
10
1
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
125
°
C
I
=
20
Pulsed
I
C
/I
B
=
20/1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
C
(
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
I
C
/I
B
=
20/1
Pulsed
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
125
°
C
BASE TO EMITTER CURRENT : V
BE
(V)
C
C
(
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
0
1
2
0.001
0.01
1
10
0.1
V
BE
=
2V
Pulsed
Ta
=
125
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
C
E
Fig.5 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(
V)
1
10
100
0.001
0.1
0.01
10
100
1000
f
=
1MHz
I
C
=
0A
Ta
=
25
Cib
Cob
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
T
T
(
Fig.6 Gain bandwidth product
vs. emitter current
0.01
0.1
1
10
10
1000
100
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
f
=
100MHz
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.7 Switching time
0.01
1
0.1
10
10
10000
1000
100
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
f
=
100MHz
tstg
tdon
tr
tf
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2673 Low frequency amplifier
2SD2674 General purpose amplification (12V, 1.5A)
2SD2675 General purpose amplification (30V, 1A)
2SD2703 General purpose amplification (30V, 1A)
2SD2707 General Purpose Transistor (50V, 0.15A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2672TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2673TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2674TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2675TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2679T100 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2A / 30V BIPOLAR TRANSISTOR 3MPT3 - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN BIPO 30V 2A MPT3 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTR 2A 30V
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*