參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2661
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low frequency amplifier transistor(12V,2A)
中文描述： 晶體管低頻放大器（12V的2A號(hào)）
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： 2SD2661
2SD2661
Transistors
z
Electrical characteristic curves
Rev.A
2/2
0
0.5
1
1.5
0.001
C
C
(
0.01
10
0.1
1
V
CE
=
2V
Pulsed
Ta
=
100
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
BASE TO EMITTER CURRENT : V
BE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
0.001
0.01
0.1
1
10
10
D
F
1000
100
Ta
=
100
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
Pulsed
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.2 DC current gain
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
0.001
C
C
(
0.01
0.1
1
Ta
=
25
°
C
Pulsed
I
C
/I
B
=
10
I
C
/I
B
=
20
I
C
/I
B
=
50
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
0.001
0.01
1
0.1
I
C
/I
B
=
20
Pulsed
Ta
=
100
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
Fig.4 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
C
S
C
(
0.001
0.01
0.1
1
10
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
10
T
T
(
1000
100
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
f
=
100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
1
10
100
0.1
10
100
1000
f
=
1MHz
I
E
=
0A
Ta
=
25C
C
E
Cib
Cob
Fig.6 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(
V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2670 Low frequency amplifier
2SD2672 Low frequency amplifier
2SD2673 Low frequency amplifier
2SD2674 General purpose amplification (12V, 1.5A)
2SD2675 General purpose amplification (30V, 1A)
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參數(shù)描述
2SD2661T100 功能描述:TRANS NPN 12V 2A MPT3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2662T100 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2670TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2671TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2672TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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