參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2299
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SD2299
2SD2299
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to emitter voltage
V
CES
V
EBO
I
C
I
C(peak)
I
C(surge)
P
C
*
Tj
1500
V
Emitter to base voltage
6
V
Collector current
3
A
Collector peak current
3.5
A
Collector surge current
10
A
Collector power dissipation
1
40
W
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
C to E diode forward current
Note:
1. Value at T
C
= 25°C.
I
D
3.5
A
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
6
—
—
V
I
E
= 300 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CES
V
CE(sat)
—
—
500
μA
V
CE
= 1500 V, R
BE
= 0
I
C
= 2.5 A, I
B
= 0.8 A
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
5
V
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
—
1.5
V
I
C
= 2.5 A, I
B
= 0.8 A
C to E diode forward voltage
V
ECF
t
f
—
—
2.2
V
I
F
= 3 A
I
CP
= 2.75 A, I
B1
= 0.6 A,
I
B2
≈
–1.3 A, L
B
= 0
Fall time
—
—
0.8
μs
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PDF描述
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