參數(shù)資料
型號： 2SD2318
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： High-current gain Power Transistor(60V, 3A)
中文描述： 高電流增益功率晶體管（60V的，3A）條
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： 2SD2318
2SD2318
Transistors
High-current gain Power Transistor
(60V, 3A)
2SD2318
!
Features
1) High DC current gain.
2) Low saturation voltage.
(Typ. V
CE
(sat) =0.5V at I
C
/ I
B
=2A / 0.5A)
3) Complements the 2SB1639.
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
*
Single pulse Pw=100ms
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
80
60
6
3
4.5
1
15
*
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
A(Pulse)
W
W(Tc=25C)
C
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
External dimensions
(Units : mm)
2
0
1
0
9.5
2.5
0.8Min.
1.5
6
2
(
(
C0.5
0
0.9
(
0
2
0
1.5
5.5
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
(1) Base(Gate)
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
5
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
2SD2318
CPT3
UV
TL
2500
Basic ordering unit (pieces)
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
h
FE
Min.
80
60
6
-
-
-
-
560
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
100
100
1.0
1.5
1800
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
V
-
Conditions
f
T
Cob
-
-
50
60
-
-
MHz
pF
*
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
80V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
2A/0.05A
I
C
/I
B
=
2A/0.05A
V
CE
/I
C
=
4V/0.5A
V
CE
=
5V, I
E
=-
0.2A, f
=
10MHz
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
*
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
*
Measured using pulse current.
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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2SD2329 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD234 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 60V 3A 25W BCE
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