參數(shù)資料
型號(hào): 2SD2311
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述: 硅npn型三重?cái)U(kuò)散(三倍擴(kuò)散npn型晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 31K
代理商: 2SD2311
2SD2311
Silicon NPN Triple Diffused
Application
CTV horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
V
CBO
= 1500 V
Outline
1. Base
2. Collector
3. Emitter
TO-3PFM
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2318 High-current gain Power Transistor(60V, 3A)
2SD2318U TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | TO-252VAR
2SD2318V Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD2323 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
2SD2337 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2318TLU 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK U RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2318TLV 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD23210RA 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 5A NS-B1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2329 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD234 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 60V 3A 25W BCE