參數(shù)資料
型號： 2SD2256
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 25 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SD2256
2SD2256
4
Saturation Voltage
vs. Collector Current
10
3
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
0.1
0.3
1.0
0.1
1.0
100
10
Collector current IC (A)
0.3
3
30
VBE(sat)
VCE(sat)
TC = 25°C
IC/IB = 200
Transient Thermal Resistance
TC = 25°C
Time t (s)
10
3
1.0
0.3
0.1
Thermal
resistance
θ
j-c
(
°C/W)
1 m
10 m
100 m
1.0
10
100
1000
相關PDF資料
PDF描述
2SD2257 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2SD2263RR 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SD2257(CANO,A,Q) 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1
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2SD2257(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 100V VCE1.5 Ic 3A High-Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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