參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2257
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 135K
代理商： 2SD2257
2SD2257
2006-11-21
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SD2257
High-Power Switching Applications
Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications
High DC current gain: hFE = 2000 (min)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max)
Complementary to 2SB1495
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
DC
IC
±3
Collector current
Pulse
ICP
±5
A
Base current
IB
0.3
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
20
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Base
Emitter
≈ 4 k
≈ 800
Collector
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SD2257(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 100V VCE1.5 Ic 3A High-Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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