參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2256
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 25 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SD2256
2SD2256
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
120
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
120
V
Emitter to base voltage
V
EBO
7V
Collector current
I
C
25
A
Collector peak current
I
C(peak)
35
A
Collector power dissipation
P
C*
1
120
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
C to E diode forward current
I
D*
1
25
A
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
120
—
V
I
C = 0.1 mA, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
120
—
V
I
C = 25 mA, RBE = ∞
Collector to emitter sustain
voltage
V
CEO(sus)
120
—
V
I
C = 200 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7—
—
V
I
E = 50 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
——
10
AV
CB = 100 V, IE = 0
I
CEO
——
10
AV
CE = 100 V, RBE = ∞
DC current transfer ratio
h
FE1
2000
—
20000
V
CE = 4 V, IC = 12 A*
1
h
FE2
500
—
V
CE = 4 V, IC = 25 A*
1
Collector to emitter saturation
V
CE(sat)1
—
2.0
V
I
C = 12 A, IB = 24 mA*
1
voltage
V
CE(sat)2
—
3.5
V
I
C = 25 A, IB = 250 mA*
1
Base to emitter saturation
V
BE(sat)1
—
3.0
V
I
C = 12 A, IB = 24 mA*
1
voltage
V
BE(sat)2
—
4.5
V
I
C = 25 A, IB = 250 mA*
1
Note:
1. Pulse test.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2257 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2260 70 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD2263RR 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
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