參數資料
型號: 2SD1978
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Epitaxial, Darlington
中文描述: npn型硅外延,達林頓
文件頁數: 1/6頁
文件大?。?/td> 32K
代理商: 2SD1978
2SD1978
Silicon NPN Epitaxial, Darlington
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SB1387
Outline
3
2
1
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-92MOD
2 k
(Typ)
0.5 k
(Typ)
I
D
3
2
1
相關PDF資料
PDF描述
2SD200 NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS)
2SD2014 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor, Series Regulator, and General Purpose)
2SD2015 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴散平面達林頓晶體管)
2SD2016 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Igniter, Relay and General Purpose)
2SD2017 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴散平面達林頓晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD1979 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1980TL 功能描述:達林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1980TLR 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape