型號: | 2SD2016 |
廠商: | SANKEN ELECTRIC CO LTD |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Igniter, Relay and General Purpose) |
中文描述: | 3 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
封裝: | FM20, TO-220F, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 21K |
代理商: | 2SD2016 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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2SD2017_01 | 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor |
2SD2018 | 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 1A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD2019 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |