參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1922
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Epitaxial
中文描述: npn型硅外延
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大小: 33K
代理商: 2SD1922
0.60 Max
0.5
±
0.1
4.8
±
0.3
3.8
±
0.3
8
±
0
2
1
0.5
1.27
2.54
0.65
±
0.1
0.75 Max
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Weight
(reference value)
TO-92 Mod
Conforms
0.35 g
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1939 NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
2SD1940 High-Voltage Switching, AF25 to 30W Output Applications
2SD1950 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
2SD1970 Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管)
2SD1974 Silicon NPN Epitaxial
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1933 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TO-220FP80V 4A 30W BCE
2SD1936T-SSH 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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2SD1938(F)-S(TX) 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:
2SD1938FSL 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR