參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1922
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 33K
代理商： 2SD1922
2SD1922
3
150
100
50
Ambient Temperature Ta (
°
C)
0
1.2
0.8
0.4
Maximum Collector Dissipation Curve
C
C
1.0
0.3
30
10
100
3
0.1
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
Area of Safe Operation
C
C
i
C(peak)
I
C(max)
1ms
PW=10m
DCOpeaion
Ta = 25
°
C
1 Shot Pulse
1.0
10
0.3
Pulse Width P
W
(ms)
3
0.1
10
8
6
4
2
0
D
D
Area of Safe Operation of Emitter to
Collector Diode
Ta = 25
°
C
1 Shot Pulse
10
6
4
8
2
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Typical Output Characteristics
C
C
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2 mA
Ta = 25
°
I
B
= 0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SD1950 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
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參數(shù)描述
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