參數(shù)資料
型號： 2SD1922
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 33K
代理商： 2SD1922
2SD1922
4
0.8
1.6
2.0
0.4
1.2
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Typical Transfer Characteristics
C
C
V
= 2 V
Ta = 25
°
C
Pulse
0.01
0.1
1.0
0.03
Collector Current I
C
(A)
0.3
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
C
C
B
B
Saturation Voltage vs.Collector Current
I
= 10 I
B
Ta = 25
°
C
Pulse
V
CE(sat)
V
BE(sat)
0.001
1.0
0.01 0.03
Collector Current I
C
(A)
0.1
0.003
0.3
10,000
3,000
1,000
300
100
D
F
DC Current Transfer Ratio vs. Collector
Current
–25
25
Ta = 75
°
C
V
= 2 V
Pulse
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
E to C Diode Forward Voltage V
ECF
(V)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
D
D
Typical Characteristics of Emitter to
Collector Diode
Ta = 25
°
C
Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1939 NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
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2SD1950 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
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參數(shù)描述
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2SD1938(F)-S(TX) 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:
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