參數(shù)資料
型號： 2SD1862TV2
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ATV, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： 2SD1862TV2
1/2
www.rohm.com
○
c
2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.04 - Rev.C
Medium power transistor (32V, 2A)
2SD1758 / 2SD1862
Features
Dimensions (Units : mm)
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.5V (Typ.)
(IC/IB = 2A / 0.2A)
2) Complements the 2SB1182 / 2SB1240
Structure
Epitaxial planar type NPN silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
2SD1758
2SD1862
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
Collector
power
dissipation
1 Single pulse, PW=20ms
2 Printed circuit board: 1.7 mm thick, collector copper plating 1 cm2 or lager.
Parameter
Symbol
Limits
Unit
VCBO
40
V
VCEO
32
V
VEBO
5V
IC
2
A (DC)
2.5
A (Pulse)
1
Tj
150
°C
Tstg
55 to +150
°C
PC
1W
2
10
W (TC
=25°C)
Electrical characteristics (Ta=25
C)
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
Min.
40
32
5
0.5
100
30
1
0.8
390
VIC
=50μA
IC
=1mA
IE
=50μA
VCB
=20V
VEB
=4V
IC/IB
=2A/0.2A
VCE
=5V, IE=50mA, f=100MHz
VCE
=3V, IC=0.5A
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
V
μA
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
120
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current.
0.1
+0.2
0.1
+0.2
+
0.3
0.1
2.3
±0.2
2.3
±0.2
0.65
±0.1
0.9
0.75
1.0
±0.2
0.55
±0.1
9.5
±
0.5
5.5
1.5
±
0.3
2.5
1.5
2.3
0.5
±0.1
6.5
±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
1.0
6.8
±0.2
2.5
±0.2
1.05
0.45
±0.1
2.54 2.54
0.5
±0.1
0.9
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : ATV
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SD1758
2SD1862
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PDF描述
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2SD1758TLR 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1759TL 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1760F5TLQ 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1760TL/R 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SD1862TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1862TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1863 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR ATV 100V 1A 1W ECB
2SD1863TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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