參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1779L
廠商： NEC Corp.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至260VAR
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
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代理商： 2SD1779L
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PDF描述
2SD1779M TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR
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參數(shù)描述
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2SD1781KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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