型號(hào): | 2SD1779 |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | NPN SILICON TRANSISTOR |
中文描述: | NPN硅晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 137K |
代理商: | 2SD1779 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD1779K | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR |
2SD1779L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR |
2SD1779M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR |
2SD1780 | NPN SILICON TRANSISTOR |
2SD1780K | TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-260VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD1779-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SD178 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SD1780-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SD1781KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SD1781KT146Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |