參數(shù)資料
型號： 2SD1767R
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 700mA的一（c）|律師- 62
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： 2SD1767R
2SD1767 / 2SD1859
Transistors
Medium power transistor (80V, 0.7A)
2SD1767 / 2SD1859
!
Features
1) High breakdown voltage, BV
CEO
=80V, and
high current, I
C
=0.7A.
2) Complements the 2SB1189 / 2SB1238.
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
80
80
5
0.7
1
0.5
2
1
150
55~
+
150
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
3
2
1
2SD1859
2SD1767
W
°
C
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
1 Pw
10ms, duty
1/2
2 When mounted on a 40
40
0.7 mm ceramic board.
3 Printed circuit board 1.7 mm thick, collector plating 1cm
2
or larger.
Collector power
dissipation
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Marking
Code
2SD1767
MPT3
PQR
DC
T100
1000
2SD1859
ATV
QR
TV2
2500
Denot
es h
FE
Basic ordering unit (pieces)
!
External dimensions
(Units : mm)
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
0.45
1.05
Taping specifications
0.5
(1)
0.65Max.
2.54
(2)
2.54
(3)
6.8
1
1
0
4
2.5
2SD1767
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2SD1859
ROHM : ATV
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
1
0
1
0
1
0
3
0
1
(3)
4
(1)
(2)
0.5
4.0
2.5
1.0
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
Min.
80
80
5
82
120
Typ.
0.2
Max.
0.5
0.5
0.4
390
390
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
Conditions
f
T
Cob
120
10
MHz
pF
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
2mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
50V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
500mA/50mA
h
FE
2SD1767
2SD1859
V
CE
/I
C
=
3V/0.1A
V
CE
=
10V, I
E
=
50mA, f
=
100MHz
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
相關PDF資料
PDF描述
2SD1767 MEDIUM POWER TRANSISTOR(-80V, -0.7A)
2SD1767 Medium power Transistor(中等功率晶體管)
2SD1768S Power Transistor(功率晶體管)
2SD1769 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴散平面達林頓晶體管)
2SD1779 NPN SILICON TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1767T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1767T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1768STPQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN DRIVER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1768STPR 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 80V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD177 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORTO-3120V 10A 100W BEC
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