參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1758F5R
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 32V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至252
文件頁數(shù)： 1/2頁
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代理商： 2SD1758F5R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1759F5 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR
2SD1760F5 TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252VAR
2SD1760F5P TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
2SD1760F5Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
2SD1760F5R TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1758Q 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1758TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1758TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1758TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1759TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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